BLF6G22LS-130,112

BLF6G22LS-130,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22LS-130,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 343496.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22LS-130,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.135 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 34 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G22LS-130

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HGT1S14N36G3VLS HGT1S14N36G3VLS Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dr 14A 360V ---
586-6405-206 586-6405-206 Dialight LED Источники света, не содержащие нитей накаливания Blue Cluster 120 VAC ---
MAX4838EXT-T MAX4838EXT-T --- Схемы управления питанием ---
TPS61122PWG4 TPS61122PWG4 --- Схемы управления питанием ---
TPS2819DBVRG4 TPS2819DBVRG4 --- Схемы управления питанием ---