BLF6G22LS-130,112

BLF6G22LS-130,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22LS-130,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 343496.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22LS-130,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.135 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 34 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G22LS-130

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BU806 BU806 Fairchild Semiconductor Transistors Darlington NPN Epitaxial Sil Darl ---
RC5060M RC5060M --- Схемы управления питанием ---
P6330-R3DW P6330-R3DW --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
CDV16FF102JO3F CDV16FF102JO3F --- Конденсаторы ---
LS15RB1201J04 LS15RB1201J04 --- Power over Ethernet (PoE) ---