BLF6G22LS-100,118

BLF6G22LS-100,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22LS-100,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 342447.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22LS-100,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Непрерывный ток стока 29 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT502B Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100
Другие названия товара № /T3 BLF6G22LS-100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ULN2003ADG4 ULN2003ADG4 Texas Instruments Transistors Darlington Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays 9412966.pdf
VSMG2700-GS08 VSMG2700-GS08 Vishay Semiconductors Инфракрасные излучатели 60 Degree 170mW 830nm 6176944.pdf
KA3S1265RFYDTU KA3S1265RFYDTU --- Коммутационные микросхемы ---
AQK1211 AQK1211 --- Оптопары и оптроны ---
DMS-30PC-1-RH-C DMS-30PC-1-RH-C --- Панельные измерительные приборы ---