BLF6G22LS-100,112
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BLF6G22LS-100,112 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS | ||
Производитель: | NXP Semiconductors | ||
Спецификация: | 342117.pdf | ||
Детальное описание компонента BLF6G22LS-100,112 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.16 Ohms | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V | Непрерывный ток стока | 29 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT502B | Упаковка | Tube |
Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 20 |
Другие названия товара № | BLF6G22LS-100 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
KIT3376MMA7361LC | Freescale Semiconductor | Инструменты разработки датчика ускорения 3AXIS Angl Accelero Eval Kit | 1235077.pdf |
|
||
M34E02-FMC6TG | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MAX4618CEE+ | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
TPS2057DRG4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
W67-X2Q13-3 | --- | Автоматические выключатели | --- |
|