BLF6G22-45,135

BLF6G22-45,135
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22-45,135
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 341613.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22-45,135
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 13 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок CDFM
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 300 Другие названия товара № /T3 BLF6G22-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STGW39NC60V STGW39NC60V STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 A - 600 V Very Fast IGBT ---
MAX488ESA MAX488ESA Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 RS-485/RS-422 Transceiver 5872840.pdf
N74F112D,602 N74F112D,602 NXP Semiconductors Триггеры DUAL J-K POS EDGE 7894236.pdf
CAT24WC129P CAT24WC129P --- Микросхемы памяти ---
MAX1556ETB-T MAX1556ETB-T --- Схемы управления питанием ---