PTFB211501F V1 R250
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | PTFB211501F V1 R250 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9 | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента PTFB211501F V1 R250 | |||
Конфигурация | Single | Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.08 Ohms |
---|---|---|---|
Напряжение пробоя сток-исток | 65 V | Напряжение пробоя затвор-исток | 10 V |
Непрерывный ток стока | 1.2 A | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | H-37248-2 | Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Другие названия товара № | FB211501FV1R25XT PTFB211501FV1R250XTMA1 PTFB211501FV1R250XTMA1, SP000707934, |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
BFQ18A,115 | NXP Semiconductors | Transistors RF bipolaire petits signaux NPN 18V 150mA 4GHZ | 5312390.pdf |
|
||
CY7C421-15AXC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
B65517D0000R048 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|
||
38540-3708 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|
||
160-2699-997 | --- | Многожильные кабели и кабели парной скрутки | --- |
|