PTFA220081M V4

PTFA220081M V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA220081M V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA220081M V4
Конфигурация Single Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.1 Ohms
Напряжение пробоя сток-исток 65 V Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Непрерывный ток стока 100 mA Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок PG-SON-10 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 40 C Другие названия товара № FA220081MV4XT PTFA220081MV4XUMA1 PTFA220081MV4XUMA1, SP000707920,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP3102BUCK2GEVB NCP3102BUCK2GEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием NCP3102 DEMO BD 55X25MM ---
OPA2301AIDR OPA2301AIDR Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Lo-Noise High-Speed 16-Bit Accurate CMOS 989907.pdf
TMS320F2812PGFS TMS320F2812PGFS Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 32-Bit Digital Sig Controller w/Flash 5754904.pdf5754931.pdf
CY7C131E-25NXC CY7C131E-25NXC --- Микросхемы памяти ---
SN74CBT6845CDWE4 SN74CBT6845CDWE4 --- Коммутационные микросхемы ---