PTFB191501E V1 R250

PTFB191501E V1 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFB191501E V1 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFB191501E V1 R250
Конфигурация Single Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms
Напряжение пробоя сток-исток 65 V Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Непрерывный ток стока 1.2 A Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок H-36248-2 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 40 C Другие названия товара № FB191501EV1R25XT PTFB191501EV1R250XTMA1 PTFB191501EV1R250XTMA1, SP000695470,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PTH12010LAZT PTH12010LAZT Emerson / Astec Power Модули управления питанием 10.8-13.2Vin 1.8V12A 1.370" x0.620"x0.354 9025173.pdf
FMG2G100US60 FMG2G100US60 Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/100A/2 ---
74F30PC 74F30PC Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 8-Input NAND Gate ---
MC860SRCZQ50D4R2 MC860SRCZQ50D4R2 --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
24C01CT-E/MS 24C01CT-E/MS --- Микросхемы памяти ---