PTFB192503EL V1

PTFB192503EL V1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFB192503EL V1
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFB192503EL V1
Конфигурация Single Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.03 Ohms
Напряжение пробоя сток-исток 65 V Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Непрерывный ток стока 1.9 A Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок H-33288-6 Упаковка Tray
Минимальная рабочая температура - 40 C Другие названия товара № FB192503ELV1NP PTFB192503ELV1XWSA1 PTFB192503ELV1XWSA1, SP000667604,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
QTLP660CIRTR QTLP660CIRTR Fairchild Semiconductor Инфракрасные излучатели DOME LENS INFRARED EMITTER T-R 6209244.pdf
nRF24LE1-O17Q32-R7 nRF24LE1-O17Q32-R7 --- RF Semiconductors ---
4420.098 4420.098 --- Автоматические выключатели ---
ELM 3-455 ELM 3-455 --- Светодиодная индикация ---
HSHM-H055CR5-5CP1-TG30 HSHM-H055CR5-5CP1-TG30 --- Прямоугольные разъемы ---