BF1109WR,115

BF1109WR,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1109WR,115
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала TAPE-7 MOS-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5534775.pdf
Детальное описание компонента BF1109WR,115
Конфигурация Single Dual Gate Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 11 V Непрерывный ток стока 0.03 A
Рассеяние мощности 200 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-4
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BF1109WR T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DMC566040R DMC566040R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm ---
140-50N2-100J-TB 140-50N2-100J-TB --- Конденсаторы ---
HFBR-EUS100Z HFBR-EUS100Z --- Волоконно-оптический кабель ---
G2X3IB6 G2X3IB6 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---
03455LS2HXNP 03455LS2HXNP --- Держатели предохранителей, зажимы и аппаратура ---