BF1109WR,115

BF1109WR,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1109WR,115
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала TAPE-7 MOS-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5534775.pdf
Детальное описание компонента BF1109WR,115
Конфигурация Single Dual Gate Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 11 V Непрерывный ток стока 0.03 A
Рассеяние мощности 200 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-4
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BF1109WR T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TDA8933T TDA8933T NXP Semiconductors Усилители звука 2X10W BTL CLASS D AMP+VOLCTRL 5652353.pdf
CD74HC595DWE4 CD74HC595DWE4 Texas Instruments Регистры сдвига счетчика 8-Bit Shift Register 2187302.pdf
MAX4616EUD+T MAX4616EUD+T --- Коммутационные микросхемы ---
MAX4530EAP+T MAX4530EAP+T --- Коммутационные микросхемы ---
MOC3042SVM MOC3042SVM --- Оптопары и оптроны ---