BLF6G27-45,112

BLF6G27-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5528992.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.385 Ohms Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 0.5 V, 13 V Непрерывный ток стока 20 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CDFM Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G27-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SMBD7000E6433XT SMBD7000E6433XT Infineon Technologies Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon Switching Diode Array ---
EMD2T2R EMD2T2R ROHM Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) PNP/NPN 50V 30MA 9548963.pdf
CY74FCT2257CTQCTE4 CY74FCT2257CTQCTE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Quad 1-of-2 Data Sel Multipl 3766542.pdf
24C02C-I/MSG 24C02C-I/MSG --- Микросхемы памяти ---
LDS-AA186RE LDS-AA186RE --- Светодиодные дисплеи ---