BF1212,215

BF1212,215
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1212,215
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала N-CH DUAL GATE 6V
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5528924.pdf
Детальное описание компонента BF1212,215
Конфигурация Single Dual Gate Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 6 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.03 A Рассеяние мощности 180 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-4 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BF1212

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S-103T S-103T Semitec Диоды для стабилизации тока 50V 10mA 3415017.pdf
RGP30K/54 RGP30K/54 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 800 Volt 3.0A 500ns 125 Amp IFSM 3940914.pdf
DMA261020R DMA261020R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm 9507969.pdf
TS5L100RGYRG4 TS5L100RGYRG4 --- Коммутационные микросхемы ---
938-855 938-855 --- Светодиодная индикация ---