BF1212WR,115

BF1212WR,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1212WR,115
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала N-CH DUAL GATE 6V
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5528419.pdf5528433.pdf
Детальное описание компонента BF1212WR,115
Конфигурация Single Dual Gate Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 6 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.03 A Рассеяние мощности 180 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CMPAK-4 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BF1212WR

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CY3250-27XXX CY3250-27XXX Cypress Semiconductor Эмуляторы / Симуляторы KIT ICE POD FOR CY8C27 441995.pdf
ANT-2.4-WRT-MON-RPS ANT-2.4-WRT-MON-RPS Linx Technologies Антенны 2.4 GHz Antenna WRT Monopole RP-SMA 253942.pdf
MAX5853ETL+GH7 MAX5853ETL+GH7 Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) Dual 10-Bit 80Msps Current-Output DAC ---
MAX3080ECSD+T MAX3080ECSD+T Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 Fail-Safe 10Mbps RS-485/RS-422 Tcvr 5898277.pdf
100353QI 100353QI Fairchild Semiconductor Триггеры 8-Bit Register ---