BF1212WR,115

BF1212WR,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1212WR,115
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала N-CH DUAL GATE 6V
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5528419.pdf5528433.pdf
Детальное описание компонента BF1212WR,115
Конфигурация Single Dual Gate Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 6 V Напряжение пробоя затвор-исток 6 V
Непрерывный ток стока 0.03 A Рассеяние мощности 180 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CMPAK-4 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BF1212WR

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RS1K-E3/61T RS1K-E3/61T Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 800V 250ns 3484395.pdf3484433.pdf
T10C220J T10C220J Littelfuse Сидаки 100A 198233.pdf
BTA312X-800B BTA312X-800B NXP Semiconductors Триаки RAIL-THYR AND TRIACS 251704.pdf
SN65HVD255D SN65HVD255D Texas Instruments ИС для интерфейса CAN CAN Transceiver 9382872.pdf
UCC2891PWG4 UCC2891PWG4 --- Схемы управления питанием ---