PTFB213004F V1 R250
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | PTFB213004F V1 R250 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента PTFB213004F V1 R250 | |||
| Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Частота | 2.17 GHz | Усиление | 18 dB |
| Выходная мощность | 60 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Непрерывный ток стока | 2.4 A | Напряжение пробоя затвор-исток | 10 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | H-37275-6/2 |
| Упаковка | Reel | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | FB213004FV1R25NT | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PGA112AIDGSRG4 | Texas Instruments | Специальные усилители 0-Drift Programmable Gain Amp | 2172604.pdf |
|
|
 |
FM93C66EM8X | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
CY14B104N-ZS20XC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
NJM#7815FA | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
DG509ADY-T | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|