AGR18030EF

AGR18030EF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: AGR18030EF
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS Transistor
Производитель: TriQuint Semiconductor
Спецификация: 5520189.pdf
Детальное описание компонента AGR18030EF
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 15 dB
Выходная мощность 33 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 18030EF Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 87.5 W
Тип продукта RF MOSFET Power

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RN1101FS(TPL3) RN1101FS(TPL3) Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) 50mA 20volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms 9524493.pdf
MAX942AUA-T MAX942AUA-T Maxim Integrated Products ИС, компараторы 9542744.pdf
TSC427CBA-T TSC427CBA-T --- Схемы управления питанием ---
DRA3P48D2R DRA3P48D2R --- Оптопары и оптроны ---
DCM172T350CF6B DCM172T350CF6B --- Конденсаторы ---