AGR18030EF

AGR18030EF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: AGR18030EF
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS Transistor
Производитель: TriQuint Semiconductor
Спецификация: 5520189.pdf
Детальное описание компонента AGR18030EF
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 15 dB
Выходная мощность 33 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 18030EF Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 87.5 W
Тип продукта RF MOSFET Power

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1N5618/4 1N5618/4 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 600 Volt 4185091.pdf
LM4946SQ LM4946SQ National Semiconductor (TI) Усилители звука 4712361.pdf
CPB181012-CM2Z-FB CPB181012-CM2Z-FB Cirrus Logic Цифровые процессоры звукового сигнала CobraNet Audio Networking Processor 5943106.pdf
TC7WPB9307FC(TE85L TC7WPB9307FC(TE85L --- Логические микросхемы ---
8523 0071000 8523 0071000 --- Провод - одножильный ---