AGR26125EF

AGR26125EF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: AGR26125EF
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF Transistor
Производитель: TriQuint Semiconductor
Спецификация: 5519995.pdf
Детальное описание компонента AGR26125EF
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.5 GHz to 2.7 GHz Усиление 11.5 dB
Выходная мощность 20 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 26125EF Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 350 W
Тип продукта RF MOSFET Power

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX5156BEPE+ MAX5156BEPE+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit 2Ch Precision DAC 1184257.pdf
MC74HC02ADR2G MC74HC02ADR2G ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-6V Quad 2-Input NOR ---
GKP10066 GKP10066 --- Конденсаторы ---
B41570E8229Q000 B41570E8229Q000 --- Конденсаторы ---
4949-1"x36yd 4949-1"x36yd --- Ленты и мастики ---