AGR19090EF

AGR19090EF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: AGR19090EF
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS Transistor
Производитель: TriQuint Semiconductor
Спецификация: 5519831.pdf
Детальное описание компонента AGR19090EF
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 15 dB
Выходная мощность 36 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 19090EF Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 230 W
Тип продукта RF MOSFET Power

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LCD2041-GW-VPT LCD2041-GW-VPT Matrix Orbital Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие 20x4 L. Blu Txt G/Wht B/G Volt Reg. 5311355.pdf
TSC2100IDA TSC2100IDA Texas Instruments Преобразователи и контроллеры для сенсорных экранов Prog 4-Wire w/Ster Codec & Hdph/Spk Amp 4385151.pdf4385177.pdf
DM74LS00M DM74LS00M Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qd 2-Input NAND Gate 8735358.pdf
FM24C128MT8 FM24C128MT8 --- Микросхемы памяти ---
MAX6792TPMD2+ MAX6792TPMD2+ --- Схемы управления питанием ---