AGR21060EF

AGR21060EF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: AGR21060EF
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF Transistor
Производитель: TriQuint Semiconductor
Спецификация: 5518312.pdf
Детальное описание компонента AGR21060EF
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.11 GHz to 2.17 GHz Усиление 14.5 dB
Выходная мощность 13.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 21060EF Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 175 W
Тип продукта RF MOSFET Power

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P2106UCRP P2106UCRP Littelfuse Сидаки 6Chp 170V 500A 192079.pdf
LM2611BMF LM2611BMF --- Схемы управления питанием ---
CBTD3306PWDH-T CBTD3306PWDH-T --- Коммутационные микросхемы ---
R6E355-AD16-05 R6E355-AD16-05 --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---
L22TF19S6NA L22TF19S6NA --- Аудио и видео разъемы ---