AGR21060EF

AGR21060EF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: AGR21060EF
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF Transistor
Производитель: TriQuint Semiconductor
Спецификация: 5518312.pdf
Детальное описание компонента AGR21060EF
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.11 GHz to 2.17 GHz Усиление 14.5 dB
Выходная мощность 13.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Напряжение пробоя затвор-исток 15 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 21060EF Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 175 W
Тип продукта RF MOSFET Power

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
6220-756 6220-756 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
21010102001 21010102001 --- Цилиндрические разъемы ---
51722-10302400AALF 51722-10302400AALF --- Прямоугольные разъемы ---
1776252-4 1776252-4 --- Клеммные колодки ---
CCS19-S8-M0 CCS19-S8-M0 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---