PTFA211801E V4

PTFA211801E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA211801E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA211801E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 17.5 dB
Выходная мощность 180 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.3 A Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-33288-6
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 565 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 35
Другие названия товара № FA211801EV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX6441KADGYD3+T MAX6441KADGYD3+T --- Схемы управления питанием ---
MMG3008NT1 MMG3008NT1 --- RF Semiconductors ---
TS5A23166DCURG4 TS5A23166DCURG4 --- Коммутационные микросхемы ---
CC2450W3VH CC2450W3VH --- Оптопары и оптроны ---
FBMH1608HM331-T FBMH1608HM331-T --- ЭМП и РЧП ---