PTFA191001F V4

PTFA191001F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA191001F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA191001F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA191001FV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
POEPHYTEREV-I POEPHYTEREV-I National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием EVAL BOARD 9743114.pdf
DS4404N+ DS4404N+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 4 Ch Adjustable 1116702.pdf
SN74HC574DBRG4 SN74HC574DBRG4 Texas Instruments Триггеры Octal DTYPE Edge Triggered FlipFlop 6607118.pdf
74HCT30N 74HCT30N NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 8-INPUT NAND GATE 8417935.pdf
559-3601-007 559-3601-007 --- Светодиодная индикация ---