PTFA191001F V4

PTFA191001F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA191001F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA191001F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA191001FV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPA6120A2DWPG4 TPA6120A2DWPG4 Texas Instruments Усилители звука High Fidelity Stereo Headphone Drv 3328275.pdf
MAX3083CSD MAX3083CSD Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 5966705.pdf
FM24C16A-S FM24C16A-S --- Микросхемы памяти ---
LC51024MC-75F672C LC51024MC-75F672C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX1601EAI+T MAX1601EAI+T --- Коммутационные микросхемы ---