PTFA191001F V4

PTFA191001F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA191001F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA191001F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA191001FV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HFBR-0414 HFBR-0414 Avago Technologies Средства разработки волоконной оптики Ethernet 7MBd Evaluation Kit ---
ISO7421D ISO7421D Texas Instruments ИС, развязывающий интерфейс Dual Channel 1/1 200Mbps Dig Iso 7725573.pdf
CD74HCT137E CD74HCT137E Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Hi-Spd CMOS 3-8 Line Decoder/Demltplxr 2857930.pdf
IS42S16100F-6BL-TR IS42S16100F-6BL-TR --- Микросхемы памяти ---
IS61DDP2B24M18A-400M3L IS61DDP2B24M18A-400M3L --- Микросхемы памяти ---