PTFA211801E V4 R250

PTFA211801E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA211801E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 180 W 2110-2170 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA211801E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 17.5 dB
Выходная мощность 180 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.3 A Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-33288-6
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 565 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA211801EV4R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si4735-C-EVB Si4735-C-EVB Silicon Labs Радиочастотные средства разработки Evaluation Board 895921.pdf
74AHCT138PW,112 74AHCT138PW,112 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 3-8 LINE DECDR/DEMUX 3153882.pdf
SST29VE010-200-4C-NHE SST29VE010-200-4C-NHE --- Микросхемы памяти ---
SSF-LXH42103ID SSF-LXH42103ID --- Светодиодная индикация ---
W2A41A151JAT2A W2A41A151JAT2A --- Конденсаторы ---