BLA0912-250
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLA0912-250 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 5515011.pdf | ||
| Детальное описание компонента BLA0912-250 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Частота | 0.96 GHz to 1.215 GHz | Усиление | 13 dB |
| Выходная мощность | 250 W | Напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Непрерывный ток стока | 300 mA | Напряжение пробоя затвор-исток | +/- 22 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | SOT-502A |
| Упаковка | Reel | Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Рассеяние мощности | 700 W |
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.06 Ohms | Размер фабричной упаковки | 20 |
| Другие названия товара № | BLA0912-250,112 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSR58LT1G | ON Semiconductor | JFET 40V 10mA | --- |
|
|
 |
MAX5167LCCM-T | Maxim Integrated Products | Усилители выборки и хранения | --- |
|
|
|
|
BQ4010LYMA-70N | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
73080956756 | --- | Цилиндрические разъемы | --- |
|
|
|
|
BDS2A1006K8K | --- | Резисторы | --- |
|