PTFA260851F V1 R250

PTFA260851F V1 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA260851F V1 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 85 W 2500-2700 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA260851F V1 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.7 GHz Усиление 14 dB
Выходная мощность 85 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-31248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 437.5 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.095 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA260851FV1R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1N4148WS-V-GS08 1N4148WS-V-GS08 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 350mA 3488920.pdf
J202 J202 Fairchild Semiconductor JFET N-Channel Transistor General Purpose 9357798.pdf
S8012DRP S8012DRP Littelfuse Комплектные тиристорные устройства (SCR) 12A 1000V 146147.pdf
S-80945CNPF-G9FTFG S-80945CNPF-G9FTFG --- Схемы управления питанием ---
598-8320-102F 598-8320-102F --- Светодиодная индикация ---