PTFA261702E V1

PTFA261702E V1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA261702E V1
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA261702E V1
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.7 GHz Усиление 15 dB
Выходная мощность 170 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.8 A Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-30275-4
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 643 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms Размер фабричной упаковки 1
Другие названия товара № FA261702EV1XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
D4SBS4-4100 D4SBS4-4100 Shindengen Мостовые выпрямители VRM=40 IFSM=60 3239434.pdf
TPA3200D1DCPRG4 TPA3200D1DCPRG4 Texas Instruments Усилители звука Mono High Power Dig Input Class-D 4764013.pdf
MCZ33889DEG MCZ33889DEG Freescale Semiconductor ИС, сетевые контроллеры и процессоры SBC-LITE-LS-CAN ---
K42X-B25S/S-BR15 K42X-B25S/S-BR15 --- Субминиатюрные соединители ---
TLA-6T127LF TLA-6T127LF --- Трансформаторы сигналов ---