PTFA261702E V1

PTFA261702E V1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA261702E V1
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA261702E V1
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.7 GHz Усиление 15 dB
Выходная мощность 170 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.8 A Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-30275-4
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 643 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms Размер фабричной упаковки 1
Другие названия товара № FA261702EV1XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3766EEP-T MAX3766EEP-T Maxim Integrated Products Аппаратный драйвер лазера 622Mbps LAN/WAN 5542801.pdf
UD1100BP0-01 UD1100BP0-01 Lantronix Модули сети Ethernet UDS1100 Device Servr No pwr supply 1422962.pdf
Q2015N5RP Q2015N5RP Littelfuse Триаки 200V 15A 50-50-50mA 233655.pdf
RC4200M_32 RC4200M_32 Fairchild Semiconductor Мультипликаторы/редукторы ---
CSP7031BK1 CSP7031BK1 --- Электронное оборудование ---