PTFA091201GLV1R250
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | PTFA091201GLV1R250 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента PTFA091201GLV1R250 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Частота | 920 MHz to 960 MHz | Усиление | 18.5 dB |
Выходная мощность | 120 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Непрерывный ток стока | 750 mA | Напряжение пробоя затвор-исток | 12 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | PG-63248-2 |
Упаковка | Reel | Вид монтажа | SMD/SMT |
Рассеяние мощности | 625 W |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
WJA1021-PCB | TriQuint Semiconductor | Радиочастотные средства разработки 50-4000MHz Eval Brd | 944751.pdf |
|
||
MCP2140A-I/SO | Microchip Technology | ИС, сетевые контроллеры и процессоры Enhanced MCP2140 Win Mobile 5.0 compatble | 6935531.pdf |
|
||
MAX1587AETL-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
10023061-10009LF | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|
||
1632 BK002 | --- | Провод - одножильный | --- |
|