PTFA191001F V4 R250

PTFA191001F V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA191001F V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA191001F V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA191001FV4R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STR91X-SK/HIT STR91X-SK/HIT STMicroelectronics Макетные платы и комплекты - ARM Hightex starter kit w/STR910 eval board ---
MAX900BCWP+T MAX900BCWP+T Maxim Integrated Products ИС, компараторы 9558614.pdf
MAX6429FGUR-T MAX6429FGUR-T --- Схемы управления питанием ---
DCMC102T450CC2MS DCMC102T450CC2MS --- Конденсаторы ---
17844 17844 --- Панельные измерительные приборы ---