PTFA211801F V4

PTFA211801F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA211801F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA211801F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 17.5 dB
Выходная мощность 180 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.3 A Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-34288-4/2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 565 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 40
Другие названия товара № FA211801FV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXGH15N120CD1 IXGH15N120CD1 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.8 Rds ---
TGA9088A-SCC TGA9088A-SCC --- RF Semiconductors ---
140-102S6-151J-RC 140-102S6-151J-RC --- Конденсаторы ---
Pro-50 Pro-50 --- Мультиметры и вольтметры ---
5-66504-9 5-66504-9 --- Субминиатюрные соединители ---