PTFA211801F V4

PTFA211801F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA211801F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA211801F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 17.5 dB
Выходная мощность 180 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.3 A Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-34288-4/2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 565 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 40
Другие названия товара № FA211801FV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NE425S01-T1B NE425S01-T1B NEC/CEL РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Lo Noise HJFET 5414026.pdf
TDA0161FPT TDA0161FPT STMicroelectronics Интерфейс - специализированный PROXIMITY DETECTOR 7705907.pdf
MAX1705EVKIT MAX1705EVKIT --- Схемы управления питанием ---
908-195 908-195 --- Светодиодная индикация ---
MX3AWT-A1-0000-000CE4 MX3AWT-A1-0000-000CE4 --- Светодиоды высокой мощности ---