BLF248

BLF248
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF248
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 300W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5511816.pdf
Детальное описание компонента BLF248
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 10 dB
Выходная мощность 300 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 25 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.15 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF248,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAR 63-06W H6327 BAR 63-06W H6327 Infineon Technologies Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) RF DIODE ---
RN1307(TE85L,F) RN1307(TE85L,F) Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms 9514249.pdf
MAX202CPE+ MAX202CPE+ Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5V RS-232 Tcvr w/0.1uF External Cap 5229161.pdf5229179.pdf
SN74LVC14ADGVRE4 SN74LVC14ADGVRE4 Texas Instruments Инвертеры Hex Schmitt-Trigger Inverter 704329.pdf
DS1817-10 DS1817-10 --- Схемы управления питанием ---