BLS6G3135-120

BLS6G3135-120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5509281.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1N4936-E3/1 1N4936-E3/1 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 400 Volt 200ns 30 Amp IFSM 4065352.pdf
MC10E1651FN MC10E1651FN ON Semiconductor ИС, компараторы +/- 5V ECL Dual ECL ---
PCF8574ADGVRE4 PCF8574ADGVRE4 Texas Instruments Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы Remote 8-Bit I/O Expander for I2C-Bus 5011421.pdf
BR24C08-WDS6TP BR24C08-WDS6TP --- Микросхемы памяти ---
561-1201-050F 561-1201-050F --- Светодиодная индикация ---