BLS6G3135-120

BLS6G3135-120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5509281.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
C5000-W-KIT-513 C5000-W-KIT-513 Califia Светодиодные комплекты C Kit 3X C5000-W-TR w/Switch & Connector 4660477.pdf
5503640-1 5503640-1 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители ST/FC HYBRID ADPT METAL ---
DS3695TN DS3695TN National Semiconductor (TI) Шинные ресиверы 6324894.pdf
UC2841DWG4 UC2841DWG4 --- Схемы управления питанием ---
CS5211ED14 CS5211ED14 --- Схемы управления питанием ---