PTFA211801F V4 R250

PTFA211801F V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA211801F V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 180 W 2110-2170 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA211801F V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 17.5 dB
Выходная мощность 180 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.3 A Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-34288-4/2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 565 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA211801FV4R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1SV280TPH3F 1SV280TPH3F Toshiba Варакторные диоды VARICAP DIODE 9235041.pdf
100304QCX 100304QCX Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quint AND/NAND Gate ---
MAX6429FGUR+T MAX6429FGUR+T --- Схемы управления питанием ---
HSMS-2862-TR2G HSMS-2862-TR2G --- RF Semiconductors ---
SN74CBT3305CPW SN74CBT3305CPW --- Коммутационные микросхемы ---