PTFA192001F V4 R250

PTFA192001F V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA192001F V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA192001F V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 417 W Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ)
Размер фабричной упаковки 250 Другие названия товара № FA192001FV4R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IMG-524-P01 IMG-524-P01 STMicroelectronics Средства разработки интегральных схем (ИС) видео Pepper board for VGA CMOS SOC camera mod ---
FCTN-RLY4-315-2 FCTN-RLY4-315-2 Linx Technologies Радиочастотные модули 4 Relay Receiver Module 315MHz ver 2 1992044.pdf
MAX241EEAI+ MAX241EEAI+ Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 15kV ESD-Protected 5V RS232 Transceiver 5199151.pdf
74AHC14BQ,115 74AHC14BQ,115 NXP Semiconductors Инвертеры HEX SCHMITT TRIGGER 5165559.pdf
MAX6462UR43-T MAX6462UR43-T --- Схемы управления питанием ---