PTFA260851E V1

PTFA260851E V1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA260851E V1
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA260851E V1
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.7 GHz Усиление 14 dB
Выходная мощность 85 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-30248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 437.5 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.095 Ohms Размер фабричной упаковки 1
Другие названия товара № FA260851EV1XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si3226-C-FQ Si3226-C-FQ Silicon Labs ИС управления телекоммуникационными линиями Dual Channel SLIC/CODEC ---
dsPIC33FJ256MC710T-I/PT dsPIC33FJ256MC710T-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 256KB FL 30720bytes RAM 40MIPS 85I/O 5944591.pdf
PTGL12AS0R8K2B51B0 PTGL12AS0R8K2B51B0 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
CMD95-21VRCTR10 CMD95-21VRCTR10 --- Светодиодная индикация ---
H11A817CSD H11A817CSD --- Оптопары и оптроны ---