PTFA260851E V1

PTFA260851E V1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA260851E V1
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA260851E V1
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.7 GHz Усиление 14 dB
Выходная мощность 85 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-30248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 437.5 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.095 Ohms Размер фабричной упаковки 1
Другие названия товара № FA260851EV1XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLV320DAC32IRHBTG4 TLV320DAC32IRHBTG4 Texas Instruments ИС ЦАП для аудиосигналов Low Power Stereo DAC 5880573.pdf
NB3N3001DTG NB3N3001DTG ON Semiconductor Тактовый синтезатор/устройство подавления колебаний XTAL LVPECL FIBR CLK ---
74AC08MTC 74AC08MTC Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qd 2-Input AND Gate 7943007.pdf
TL431BIDBVTG4 TL431BIDBVTG4 --- Схемы управления питанием ---
B84312C100H103 B84312C100H103 --- Фильтры цепи питания ---