PTFA191001E V4 R250

PTFA191001E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA191001E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA191001E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA191001EV4R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CY7C1425KV18-333BZC CY7C1425KV18-333BZC --- Микросхемы памяти ---
ICL7660ISA+T ICL7660ISA+T --- Схемы управления питанием ---
NCP349MNTBG NCP349MNTBG --- Схемы управления питанием ---
CY2305CSXC-1 CY2305CSXC-1 --- RF Semiconductors ---
NB-0625-0300-2C NB-0625-0300-2C --- Гибкие осветительные полосы ---