PTFA191001E V4 R250
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | PTFA191001E V4 R250 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента PTFA191001E V4 R250 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Частота | 1.93 GHz to 1.99 GHz | Усиление | 17 dB |
| Выходная мощность | 100 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Непрерывный ток стока | 900 mA | Напряжение пробоя затвор-исток | 12 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | H-36248-2 |
| Упаковка | Reel | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Рассеяние мощности | 417 W |
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.08 Ohms at 10 V (Typ) | Размер фабричной упаковки | 250 |
| Другие названия товара № | FA191001EV4R25XT | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SN7534050NSRG4 | Texas Instruments | ИС, интерфейс RS-422 Dual Differential Drivers and Receiver | 5780917.pdf |
|
|
 |
M27C1001-80XF1 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AS6C62256A-70SCN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
TOP260YN | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MAX6463XR42-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|