PTFA181001E V4 R250

PTFA181001E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1805-1880 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA181001EV4R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74HC153PW 74HC153PW NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры DUAL 4-INPUT MULTIPLEXER 3900103.pdf
MAX6466UK17+T MAX6466UK17+T --- Схемы управления питанием ---
LFXP2-17E-6F484I LFXP2-17E-6F484I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MA25UM MA25UM --- Автоматические выключатели ---
850-010-12 850-010-12 --- Цилиндрические разъемы ---