PTFA181001E V4 R250

PTFA181001E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1805-1880 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA181001EV4R25XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LI-5M06CMAF LI-5M06CMAF Leopard Imaging Видеомодули 5MP Aptina MT9P AF VGA CAMERA BOARD 9029642.pdf
SB358W SB358W Taiwan Semiconductor Мостовые выпрямители 35A 800V ---
553-0188-400F 553-0188-400F --- Светодиодная индикация ---
557-1805-203F 557-1805-203F --- Светодиодная индикация ---
EEE-0JA330WAR EEE-0JA330WAR --- Конденсаторы ---