PTFA192001F V4

PTFA192001F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA192001F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA192001F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Tray Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 417 W Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ)
Размер фабричной упаковки 40 Другие названия товара № FA192001FV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DM164120-3 DM164120-3 Microchip Technology Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC PICkit 2 Count Demo Board 9213823.pdf
DSPIC30F3014-30I/P DSPIC30F3014-30I/P Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) General Purpose 5818968.pdf
ASMT-JY33-NRS01 ASMT-JY33-NRS01 --- Светодиоды высокой мощности ---
MA281R0CAN MA281R0CAN --- Конденсаторы ---
971-025-020-121 971-025-020-121 --- Субминиатюрные соединители ---