PTFA191001E V4

PTFA191001E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA191001E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA191001E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.08 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA191001EV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCA9515ADGKR PCA9515ADGKR Texas Instruments ИС, интерфейс I2C Dual Bidirct I2C Bus & SMBus Repeater 7660685.pdf
PCH33002 PCH33002 --- Светодиодная индикация ---
SN74CBT3257CPWRE4 SN74CBT3257CPWRE4 --- Коммутационные микросхемы ---
E3S-R32 E3S-R32 --- Оптические детекторы и датчики ---
B41550E4479Q000 B41550E4479Q000 --- Конденсаторы ---