PTFA181001E V4

PTFA181001E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA181001EV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3059ASA+T MAX3059ASA+T Maxim Integrated Products ИС для интерфейса CAN 5V 1Mbps 9390243.pdf
MAX13041ASD/V+T MAX13041ASD/V+T Maxim Integrated Products ИС для интерфейса CAN 80V Fault-Protected High-Speed 9399606.pdf
IS24C02B-2ZLI-TR IS24C02B-2ZLI-TR --- Микросхемы памяти ---
031-3101-01-100 031-3101-01-100 --- Лампы и держатели ---
EDC-05-040-SCC-501522 EDC-05-040-SCC-501522 --- ЭМП и РЧП ---