PTFA181001E V4

PTFA181001E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA181001EV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ST16C554DCJ68-F ST16C554DCJ68-F Exar ИС, интерфейс UART 2.97V-5.5V 16B FIFO temp -45 to 85C;UART 6146172.pdf6146180.pdf
IS62WV2568DBLL-45HLI IS62WV2568DBLL-45HLI --- Микросхемы памяти ---
74LVT652PW-T 74LVT652PW-T --- Логические микросхемы ---
3412L 3412L --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---
97-WR-P50 97-WR-P50 --- Субминиатюрные соединители ---