PTFA181001E V4

PTFA181001E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA181001EV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX8575EUT-T MAX8575EUT-T Maxim Integrated Products Аппаратные драйверы ЖКД High-Efficiency LCD Boost 3947937.pdf
30008 30008 Parallax Комплектующие для процессоров DISCONTINUED BY PARALLAX ---
F1827CCH1400 F1827CCH1400 Crydom Дискретные полупроводниковые модули 25A 530VAC MODULE SCR/DIODE 4359296.pdf
2N6052 2N6052 Central Semiconductor Transistors Darlington PNP Pwr Darlington 9422705.pdf9422706.pdf
PCF8570T/F5,512 PCF8570T/F5,512 --- Микросхемы памяти ---