PTFA181001E V4

PTFA181001E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA181001EV4XP

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TQP7M9103-PCB900 TQP7M9103-PCB900 TriQuint Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей 920-960MHZ 5VOLT EVAL BOARD 9029967.pdf
W2SG0008i W2SG0008i Wi2Wi Модули GPS GPS Mod SiRF Star IV Full Feat Indus Temp 1940200.pdf
MAX518AEPA MAX518AEPA Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3810169.pdf
IS42RM32800D-75BL-TR IS42RM32800D-75BL-TR --- Микросхемы памяти ---
CY7C144E-15AXI CY7C144E-15AXI --- Микросхемы памяти ---