PTFA181001E V4
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | PTFA181001E V4 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента PTFA181001E V4 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Частота | 1.8 GHz to 1.88 GHz | Усиление | 16.5 dB |
Выходная мощность | 100 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Непрерывный ток стока | 750 mA | Напряжение пробоя затвор-исток | 12 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | H-36248-2 |
Упаковка | Tray | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Рассеяние мощности | 407 W |
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.85 Ohms at 10 V (Typ) | Размер фабричной упаковки | 50 |
Другие названия товара № | FA181001EV4XP |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MAX8575EUT-T | Maxim Integrated Products | Аппаратные драйверы ЖКД High-Efficiency LCD Boost | 3947937.pdf |
|
||
30008 | Parallax | Комплектующие для процессоров DISCONTINUED BY PARALLAX | --- |
|
||
F1827CCH1400 | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули 25A 530VAC MODULE SCR/DIODE | 4359296.pdf |
|
||
2N6052 | Central Semiconductor | Transistors Darlington PNP Pwr Darlington | 9422705.pdf9422706.pdf |
|
||
PCF8570T/F5,512 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|