BLF6G10L-200BRN,11

BLF6G10L-200BRN,11
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10L-200BRN,11
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5501408.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10L-200BRN,11
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 20 dB
Выходная мощность 40 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 49 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX514BEWI+T MAX514BEWI+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit 4Ch Precision DAC 2397670.pdf
081-0117-203 081-0117-203 Dialight Световые панельные индикаторы MIN PANEL IND ---
B57560G503F B57560G503F --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
C4SMT-RJS-CU14QBB2 C4SMT-RJS-CU14QBB2 --- Светодиодная индикация ---
17973 17973 --- Панельные измерительные приборы ---