BLS6G3135-20

BLS6G3135-20
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-20
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5501125.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-20
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 15.5 dB
Выходная мощность 20 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 2.1 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.58 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-20,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
VHO55-14io7 VHO55-14io7 Ixys Модули КТУ (SCR) 55 Amps 1400V 140136.pdf
MX7545KCWP+T MX7545KCWP+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit Precision DAC 1371457.pdf
MAX5941ACSE+ MAX5941ACSE+ Maxim Integrated Products ИС, контроллер интерфейса ввода вывода IEEE 802.3af POE Int/PWM Controller 9434202.pdf
NB4L16MMNG NB4L16MMNG ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения 2.5V/3.3V 5Gb/s Driver/RCVR/Buffer ---
3-553239-1 3-553239-1 --- Плоский кабель ---