BLA1011S-200

BLA1011S-200
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLA1011S-200
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5501034.pdf
Детальное описание компонента BLA1011S-200
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.03 GHz to 1.09 GHz Усиление 13 dB
Выходная мощность 200 W Напряжение пробоя сток-исток 75 V
Напряжение пробоя затвор-исток +/- 22 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-538B Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 700 W Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLA1011S-200,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P1200Q22CLRP P1200Q22CLRP Littelfuse Сидаки SIDACtor 100V 500A ---
SA58631TK-G SA58631TK-G NXP Semiconductors Усилители звука 3W BTL AUDIO AMP ---
LFEC33E-3FN672C LFEC33E-3FN672C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
140-602Z9-102M-RC 140-602Z9-102M-RC --- Конденсаторы ---
DMS-30LCD-3-5B DMS-30LCD-3-5B --- Панельные измерительные приборы ---