BLF6G10S-45

BLF6G10S-45
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10S-45
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5499967.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10S-45
Fabricant NXP Catégorie du produit Transistors de puissance RF à MOSFET
Configuration Single Polarité du transistor N-Channel
Fréquence 0.7 GHz to 1 GHz Gain 23 dB
Alimentation en sortie 1 W Tension drain-source de rupture 65 V
Courant débité continu 13 A Tension gâchette-cathode de rupture 13 V
Température de fonctionnement max. + 150 C Package/Boîte SOT-608B
Conditionnement Tube Température de fonctionnement min. - 65 C
Style de montage SMD/SMT Type de produit MOSFET Power
Résistance drain-source RDS (activé) 0.2 Ohms Nombre de pièces de l'usine 20
Raccourcis pour l'article N° BLF6G10S-45,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
142AD446S-503F1 142AD446S-503F1 Illumitex Светодиодные модули Horticulture F1 ---
CY3656-DK CY3656-DK Cypress Semiconductor Макетные платы и комплекты - беспроводные DEVEL KIT ---
DS34S102GN+ DS34S102GN+ Maxim Integrated Products Коммуникационные ИС - разные Dual TDM-Over-Pack Transport Device 6904174.pdf
SN74ALS374ADBR SN74ALS374ADBR Texas Instruments Триггеры Octal D-Ty Edge Trig F-F W/3-State Otpt 7896917.pdf
MAX6442KAFIZD3-T MAX6442KAFIZD3-T --- Схемы управления питанием ---