BLF6G10S-45

BLF6G10S-45
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10S-45
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5499967.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10S-45
Fabricant NXP Catégorie du produit Transistors de puissance RF à MOSFET
Configuration Single Polarité du transistor N-Channel
Fréquence 0.7 GHz to 1 GHz Gain 23 dB
Alimentation en sortie 1 W Tension drain-source de rupture 65 V
Courant débité continu 13 A Tension gâchette-cathode de rupture 13 V
Température de fonctionnement max. + 150 C Package/Boîte SOT-608B
Conditionnement Tube Température de fonctionnement min. - 65 C
Style de montage SMD/SMT Type de produit MOSFET Power
Résistance drain-source RDS (activé) 0.2 Ohms Nombre de pièces de l'usine 20
Raccourcis pour l'article N° BLF6G10S-45,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TISP2125F3P-S TISP2125F3P-S Bourns Сидаки 198601.pdf
Q6015LT Q6015LT Littelfuse Триаки 600V 15A 33/43V 223875.pdf223876.pdf
MAX3272AEGP MAX3272AEGP Maxim Integrated Products Ограничивающие усилители 3.3V 2.5Gbps Limiting Amplifier 1684700.pdf
74HCT574D 74HCT574D NXP Semiconductors Триггеры OCTAL D-TYPE POS EDGE 3-S 7856937.pdf
DM74ALS1008AN_Q DM74ALS1008AN_Q Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qdrpl 2-Inpt AND Buf ---