BLF6G10S-45

BLF6G10S-45
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10S-45
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5499967.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10S-45
Fabricant NXP Catégorie du produit Transistors de puissance RF à MOSFET
Configuration Single Polarité du transistor N-Channel
Fréquence 0.7 GHz to 1 GHz Gain 23 dB
Alimentation en sortie 1 W Tension drain-source de rupture 65 V
Courant débité continu 13 A Tension gâchette-cathode de rupture 13 V
Température de fonctionnement max. + 150 C Package/Boîte SOT-608B
Conditionnement Tube Température de fonctionnement min. - 65 C
Style de montage SMD/SMT Type de produit MOSFET Power
Résistance drain-source RDS (activé) 0.2 Ohms Nombre de pièces de l'usine 20
Raccourcis pour l'article N° BLF6G10S-45,112

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74S132NE4 SN74S132NE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-inp pos-NAND Schmitt triggers 8274749.pdf
CAT24WC128XI-1.8 CAT24WC128XI-1.8 --- Микросхемы памяти ---
PMD4001K,115 PMD4001K,115 --- Схемы управления питанием ---
MAX5982AETE+ MAX5982AETE+ --- Коммутационные микросхемы ---
SSL-LX304CYD SSL-LX304CYD --- Светодиодная индикация ---