BG 3430R H6327
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BG 3430R H6327 | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BG 3430R H6327 | |||
Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Частота | 800 MHz | Усиление | 25 dB |
Напряжение пробоя сток-исток | 12 V | Непрерывный ток стока | 25 mA |
Напряжение пробоя затвор-исток | 6 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-363 | Упаковка | Reel |
Вид монтажа | SMD/SMT | Рассеяние мощности | 200 mW |
Размер фабричной упаковки | 3000 | Другие названия товара № | BG3430RH6327XT BG3430RH6327XTSA1 BG3430RH6327XTSA1, SP000753498, |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
TPS54383EVM | Texas Instruments | Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием 12V Input Dual Out- put 2A Buck Cnvrtr | --- |
|
||
CMD-HHCP-315-MD_ | Linx Technologies | Радиочастотные модули 8 Btn Compact Hndhld TX 315MHz Snap Btns | 2023098.pdf |
|
||
LM27313XMF/NOPB | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MX6SWT-A1-R250-000DE4 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|
||
EEE-HP1HR22R | --- | Конденсаторы | --- |
|