PD57002S-E

PD57002S-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD57002S-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура POWER R.F.
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5488248.pdf
Детальное описание компонента PD57002S-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 15 dB at 960 MHz
Выходная мощность 2 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 0.25 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Straight Lead)
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 4.75 W
Тип продукта RF MOSFET Power Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BLF6G38LS-50,118 BLF6G38LS-50,118 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS WIMAX PWR LDMOS 5484028.pdf
AFCT-5943TGZ AFCT-5943TGZ Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Transceiver ---
ISP1761ET ISP1761ET NXP Semiconductors ИС, интерфейс USB USB 2.0 HS OTG HOST 6300359.pdf
MAX4707ELT+T MAX4707ELT+T --- Коммутационные микросхемы ---
FLP2FR11.0-SUG FLP2FR11.0-SUG --- Светодиодная индикация ---