BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLA6H1011-600,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS AVIONICS PWR LDMOS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5485111.pdf
Детальное описание компонента BLA6H1011-600,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.03 GHz to 1.09 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 600 W Напряжение пробоя сток-исток 100 V
Непрерывный ток стока 72 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-539A
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAV70TT1G BAV70TT1G ON Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 70V 200mA Dual Common Cathode 3521643.pdf
TL431ACPWG4 TL431ACPWG4 --- Схемы управления питанием ---
BGY66B,112 BGY66B,112 --- RF Semiconductors ---
MAX4816ETE-T MAX4816ETE-T --- Коммутационные микросхемы ---
NB-3200-2400-1C NB-3200-2400-1C --- Гибкие осветительные полосы ---