BLF6G27LS-135,112

BLF6G27LS-135,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27LS-135,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5484157.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27LS-135,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.5 GHz to 2.7 GHz Усиление 16 dB
Выходная мощность 20 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 34 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.135 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G27LS-135

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MMBV109LT1G MMBV109LT1G ON Semiconductor Варакторные диоды 30V 26pF ---
ELM23503GD ELM23503GD --- Светодиодная индикация ---
S-0-J-2.5-D S/C S-0-J-2.5-D S/C --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
T1009NL T1009NL --- Трансформаторы сигналов ---
796683-6 796683-6 --- Клеммные колодки ---