BLF888,112

BLF888,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF888,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR RF PWR LDMOS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5483456.pdf
Детальное описание компонента BLF888,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 470 MHz to 860 MHz Усиление 19 dB at 860 MHz
Выходная мощность 250 W Напряжение пробоя сток-исток 104 V
Непрерывный ток стока 43 A Напряжение пробоя затвор-исток 11 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-979A
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-FM0256FD1D5R-L2HETJ AP-FM0256FD1D5R-L2HETJ --- Модули памяти ---
PSB21493FV1.7 PSB21493FV1.7 Infineon Technologies ИС для телекоммуникации AMuLaw/Speech CODEC w/ U PN Trans w/ MCU ---
MAX3095EEE MAX3095EEE Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 5990138.pdf
TC74VHC00FK TC74VHC00FK Toshiba Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input 8311410.pdf
STW4810CRAT/LF STW4810CRAT/LF --- Схемы управления питанием ---