PTFA080551E V4

PTFA080551E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA080551E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA080551E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 869 MHz to 960 MHz Усиление 18.5 dB
Выходная мощность 55 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 600 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36265-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 219 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.15 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA080551EV4XP PTFA080551EV4XWSA1 PTFA080551EV4XWSA1, SP000376058,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FMG1G200US60H FMG1G200US60H Fairchild Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---
T2009N32TOF T2009N32TOF Infineon Technologies Модули КТУ (SCR) 3.2KV 42.5KA ---
FAN5098MTCX FAN5098MTCX --- Схемы управления питанием ---
MC100EP16VTDR2G MC100EP16VTDR2G --- Логические микросхемы ---
74544 74544 --- Инструменты ---