BLF6G10-160RN,112

BLF6G10-160RN,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10-160RN,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5482756.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10-160RN,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 22.5 dB
Выходная мощность 32 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 39 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 20

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADC1613D080WO/DB,598 ADC1613D080WO/DB,598 NXP Semiconductors Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADC DEMO BOARD ---
74HCT377N,652 74HCT377N,652 NXP Semiconductors Триггеры OCTAL D-TYPE W/ENABL 6634247.pdf
74AHC1G86SE-7 74AHC1G86SE-7 Diodes Inc. Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) SINGLE 2-INPUT POS OR Gate 2.0V to 5.5V 8273037.pdf
MCIMX31CVMN4C MCIMX31CVMN4C --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
CY7C21701KV18-400BZXC CY7C21701KV18-400BZXC --- Микросхемы памяти ---