BG 5120K H6327

BG 5120K H6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 5120K H6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 5120K H6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 800 MHz Усиление 23 dB
Напряжение пробоя сток-исток 12 V Непрерывный ток стока 20 mA
Напряжение пробоя затвор-исток 6 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 200 mW
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BG5120KH6327XT BG5120KH6327XTSA1 BG5120KH6327XTSA1, SP000753500,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DF08S/45 DF08S/45 Vishay Semiconductors Мостовые выпрямители 1.0 Amp 800 Volt 3179527.pdf
PDTC114YK T/R PDTC114YK T/R NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 ---
MCP4151T-503E/SN MCP4151T-503E/SN Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Digital Pot 256 step SPI dual Ch 5136922.pdf
MM74HCT373MTC_Q MM74HCT373MTC_Q Fairchild Semiconductor Защелки 3-STATE Oct D-Tp Lat 3465560.pdf
095-1363-09-110 095-1363-09-110 --- Лампы и держатели ---