BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5480342.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ANT-433-CW-QW-SMA ANT-433-CW-QW-SMA Linx Technologies Антенны SMA Connectorized 1/4 Wave Whip 433MHz 254064.pdf
STA308 STA308 STMicroelectronics Цифровые процессоры звукового сигнала Digital Audio Procsr 5999572.pdf
Si8450AA-B-IS1 Si8450AA-B-IS1 Silicon Labs ИС, развязывающий интерфейс 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 7723433.pdf7723434.pdf
940-1.200 940-1.200 --- Светодиодная индикация ---
TLP781(D4-GR-TP6F TLP781(D4-GR-TP6F --- Оптопары и оптроны ---