BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5480342.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74HC132NSR SN74HC132NSR Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad Positive-NAND Gate 8092888.pdf
SN10KHT5574DW SN10KHT5574DW Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения Octal TTL-To-ECL Translator 5323718.pdf
5600F7/5 5600F7/5 --- Светодиодная индикация ---
B57867S503H140 B57867S503H140 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
72309-7013RPLF 72309-7013RPLF --- USB-коннекторы ---