BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5480342.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SB602 SB602 Taiwan Semiconductor Мостовые выпрямители 6A 100V ---
MC74ACT253DG MC74ACT253DG ON Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 5V Dual 4-Input w/3-State Out ---
MAX606EVKIT MAX606EVKIT --- Схемы управления питанием ---
STW41414 STW41414 --- Схемы управления питанием ---
Q3-0.005-00-43 Q3-0.005-00-43 --- Термическое сопряжение ---