BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-120,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5480342.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-120,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 7.2 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCM1782DBQR PCM1782DBQR Texas Instruments ИС ЦАП для аудиосигналов 24-Bit 192kHz Ster Delta-Sig Audio DAC 5893424.pdf
2110A4 2110A4 Chicago Miniature Световые панельные индикаторы WHITE DIFFUSED 5/16" MOUNTING HOLE 6576156.pdf6576157.pdf
H11G13SD H11G13SD --- Оптопары и оптроны ---
XMLAWT-02-0000-000HT30Z6 XMLAWT-02-0000-000HT30Z6 --- Светодиоды высокой мощности ---
XMLEZW-02-0000-0B0UT330F XMLEZW-02-0000-0B0UT330F --- Светодиоды высокой мощности ---