PTFA181001F V4

PTFA181001F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA181001FV4XP PTFA181001FV4XWSA1 PTFA181001FV4XWSA1, SP000376067,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CY3250-20334QFN-POD CY3250-20334QFN-POD Cypress Semiconductor Эмуляторы / Симуляторы EMULATION KIT PSoC CY3250-20334QFN ---
DAC8043U/2K5G4 DAC8043U/2K5G4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12bit Multiply D/A 1754091.pdf
74AUP2G80GM-G 74AUP2G80GM-G NXP Semiconductors Триггеры 1.8V DUAL LOW-POW D FF +TRIG ---
dsPIC33FJ128GP306T-I/PT dsPIC33FJ128GP306T-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 40MIPS 128KB 6017272.pdf
081-0373-303 081-0373-303 --- Лампы и держатели ---