PTFA181001F V4

PTFA181001F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA181001FV4XP PTFA181001FV4XWSA1 PTFA181001FV4XWSA1, SP000376067,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
D15XB60-7000 D15XB60-7000 Shindengen Мостовые выпрямители VRM=600 IFSM=200 2682761.pdf
FMCBT3BL-X FMCBT3BL-X Panduit Волоконно-оптические соединители OptiCam 3.0mm Cable Retention Boot Assem ---
89 89 JKL Components Лампы Sngl Contact Bayonet 13V .58A 6M ---
74HCT373DB,112 74HCT373DB,112 NXP Semiconductors Защелки OCTAL 3-STATE LATCH 1776663.pdf
74ALVCF162834LRG4 74ALVCF162834LRG4 --- Логические микросхемы ---