PTFA181001F V4

PTFA181001F V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001F V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001F V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA181001FV4XP PTFA181001FV4XWSA1 PTFA181001FV4XWSA1, SP000376067,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX5499ETE+T MAX5499ETE+T Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 10-Bit Dual NV Linear-Taper 5145186.pdf
74LV00BQ-G 74LV00BQ-G NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3.3V QUAD 2-INPUT NAND GATE ---
UC3823BDWTRG4 UC3823BDWTRG4 --- Схемы управления питанием ---
LFE2M50SE-7F900C LFE2M50SE-7F900C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
PS2524MA24 PS2524MA24 --- ЭМП и РЧП ---